100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4468PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 520W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP4468PBF is a high-current, low-on-resistance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-power DC-DC converters, motor drives, and other power management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 130A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for improved switching speed.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-247 package for effective heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides reliability under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and industrial applications requiring high power density and efficiency.