500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP450APBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 520pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP450APBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering  
- **TO-247AC Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.