500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP460LCPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP460LCPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 62ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The IRFP460LCPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high-speed switching, and robust thermal performance, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling (20A Continuous, 80A Pulsed)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-247AC Package for Efficient Heat Dissipation**  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on Vishay's datasheet for the IRFP460LCPBF.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP460LCPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFP460LCPBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of IR's HEXFET® Power MOSFET series, known for efficient power handling and reliability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-247AC** (3-pin through-hole package)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for high-power applications up to 500V.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Rated:** Robust against voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)