100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4710PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFP4710PBF  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 74A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 75ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP4710PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved performance  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Fully characterized for dynamic performance**  
- **TO-247AC package** for high power dissipation  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFP4710PBF.