200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP90N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.023Ω  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 0.035Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Rise Time (t_r):** 70ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRFP90N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Low Thermal Resistance** for improved power dissipation  
- **TO-247AC Package** for high power handling  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.