200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP90N20DPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 94A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 376A  
- **Power Dissipation (PD):** 580W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 0.023Ω  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 0.029Ω  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 220pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 16ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 62ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP90N20DPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance, high-speed switching, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance  
- High Current Handling Capability  
- Fast Switching Speed  
- Improved dv/dt Capability  
- Avalanche Energy Specified  
- Lead-Free & RoHS Compliant  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.