-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP9140N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP9140N is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring stable operation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.