HEXFET? Power MOSFET The IRFP9140PBF is a P-Channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP9140PBF is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, offering low on-resistance and high-speed switching performance.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-247 Package:** Ensures high power dissipation capability.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Suitable for applications requiring controlled current handling.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-voltage switching circuits.