HEXFET?Power MOSFET The IRFPC50APBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFPC50APBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features fast switching speeds, low gate charge, and rugged avalanche characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V rating for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFPC50APBF.