HEXFET Power MOSFET The IRFPE30PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 55ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFPE30PBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications due to its fast switching characteristics and rugged design.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V V_DS rating  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in conduction  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on Infineon’s datasheet for the IRFPE30PBF. For detailed application notes, refer to the official documentation.