800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package **Part:** IRFPE40  
**Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET (High-Efficiency MOSFET)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Rugged and reliable HEXFET technology.  
- Avalanche energy rated for robustness in inductive load applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)