Ultra Low On-Resistance The IRFR5410TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Here are the key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 132A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 44mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns  
- **Rise Time (tr):** 55ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Fall Time (tf):** 25ns  
### **Description:**
The IRFR5410TRPBF is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.
### **Features:**
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance  
- Fast Switching Speed  
- High Current Capability  
- Improved dv/dt Capability  
- Lead-Free and RoHS Compliant  
### **Package:**
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.