-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR5410TRR is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.052Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR5410TRR is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low Gate Charge** for reduced switching losses  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Rating**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFR5410TRR.