-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR5505PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  

This information is derived from the manufacturer's datasheet and technical documentation.