-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR5505TRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFR5505TRRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low on-resistance (R_DS(on)) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust design for reliable operation in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This MOSFET is designed for high-performance power management in various electronic circuits.