HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28Ω , ID = -8.8A ) The IRFR9024PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR9024PBF is a P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-252 (DPAK) package  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFR9024PBF.