Dynamic dV/dt Rating The IRFR9110TRPBF is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 39ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRFR9110TRPBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.