5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFR9120 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -3.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The IRFR9120 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power management applications. It is part of the HEXFET family, known for low on-resistance and high switching speed. It is commonly used in switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for -100V applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFR9120.