-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9120N is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.55Ω @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR9120N is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.