-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9120NPBF is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (at V_GS = -10V, I_D = -3.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 330pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 42ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRFR9120NPBF is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Low Thermal Resistance** for better heat dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.