-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9120NTR is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR).  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFR9120NTR is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) surface-mount package for efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9120NTR is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and switching circuits  

This MOSFET is designed for high-performance power applications with efficient switching characteristics.