-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9120TR is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **Company:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRFR9120TR is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET® Power MOSFET series, known for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low gate charge and high-speed switching.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable switching behavior.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.