3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFR9220 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (at V_GS = -10V, I_D = -4.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 270pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 48ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR9220 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of Vishay's HEXFET series, known for low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Vishay's datasheet for the IRFR9220.