-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9220TRL is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFR9220TRL is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures predictable operation in switching applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.