-400V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9310 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 570pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
- The IRFR9310 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of International Rectifier’s HEXFET® Power MOSFET series.  
- The device is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.