Power MOSFET The IRFR9310TRPBF is a P-Channel Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFR9310TRPBF  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFR9310TRPBF is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is suitable for switching and amplification in various circuits.  
- The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Power MOSFET The IRFR9310TRPBF is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFR9310TRPBF  

### **Description:**  
- **Type:** P-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET (High-Efficiency MOSFET)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 57W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Fully Characterized:** Dynamic performance and thermal resistance specified.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Regulators  
- Battery-Powered Circuits  

This information is sourced from the official Infineon datasheet for the IRFR9310TRPBF.