200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The **IRFR9N20D** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFR9N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is available in a **TO-252 (DPAK)** package.  

(Source: International Rectifier Datasheet)