600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFRC20PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 28W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 80pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Planar Technology for Low R_DS(on)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.