500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS11N50ATRL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  
### **Part Number:**  
IRFS11N50ATRL  
### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 44A  
- **Power Dissipation (PD):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 40nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1400pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on risks.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
### **Applications:**  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Lighting ballasts  
- Industrial and automotive systems  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.