200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS17N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.13Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.18Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFS17N20D is a N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.