200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS23N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFS23N20D  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 42nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ (single pulse)  

### **Description:**  
The IRFS23N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust avalanche energy rating  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.