75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS3107 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key IR specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  

### **Description:**
The IRFS3107 is a high-performance N-channel HEXFET power MOSFET designed for low-voltage, high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in rugged operating conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance and power handling.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.