200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS31N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFS31N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  

This information is strictly factual from the manufacturer's datasheet.