200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS31N20DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFS31N20DPBF  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 42nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFS31N20DPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220AB Package:** Provides reliable thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.