60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS3206 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
IRFS3206  

### **Description:**  
The IRFS3206 is a N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.5J (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- TO-220AB package for easy mounting  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- High-current switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.