HEXFET Power MOSFET The IRFS3307 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRFS3307**  

### **Description:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- Designed for high-power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 190nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-247AC** (3-pin package)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for efficient high-frequency operation  
- **High Current Handling** capability  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Optimized Gate Drive** for improved performance in switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.