150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS33N15D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFS33N15D  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.033Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 630pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 36ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 24ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFS33N15D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFS33N15D. For detailed application notes or reliability data, refer to the official IR documentation.