SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET The IRFS33N15DPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRFS33N15DPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 56nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFS33N15DPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for a variety of power management applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.