HEXFET?Power MOSFET The IRFS4310PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFS4310PBF  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFS4310PBF is a high-current, low on-resistance power MOSFET designed for efficient switching applications.  
- It utilizes Infineon’s advanced HEXFET technology for improved performance and reliability.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converter applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IRFS4310PBF.

HEXFET?Power MOSFET