HEXFET Power MOSFET The IRFS4410 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRFS4410 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 96A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 180nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IRFS4410 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current and high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Optimized for high-frequency switching applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.