100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS4410TRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFS4410TRLPBF  

### **Description:**  
The IRFS4410TRLPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 96A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.4mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching capability for high-frequency applications.  
- High current handling with robust thermal performance.  
- Avalanche energy rated for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS4410TRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFS4410TRLPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 96 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380 A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10 V:** 4.4 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for automotive and industrial applications  

### **Package:**  
TO-262 (D²PAK)  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRFS4410TRLPBF.