HEXFET Power MOSFET The IRFS4410ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Type:** N-Channel Power MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
3. **Continuous Drain Current (I_D):** 96A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380A  
5. **Power Dissipation (P_D):** 330W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
7. **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
9. **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
10. **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
11. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 160pF  
12. **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
13. **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFS4410ZPBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for fast switching in applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**
1. **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
2. **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
3. **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
4. **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
5. **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.