100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS59N10D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 59A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 236A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.019Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 600mJ  

### **Description:**  
The IRFS59N10D is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low gate charge for reduced switching losses  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.