200V N-Channel MOSFET The IRFS630B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FA). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **FA (Fairchild Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-speed switching** applications.  
- **Low gate charge** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive loads.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for power management applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power supplies**.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFS630B.