250V N-Channel MOSFET The IRFS644B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFS644B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 56A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.32Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  
### **Description:**  
The IRFS644B is an N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in various electronic circuits.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 250V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures efficient thermal dissipation.  
For exact performance characteristics, refer to the official Fairchild datasheet.