500V N-Channel MOSFET The IRFS820B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFS820B is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official datasheet from ON Semiconductor (Fairchild's successor).