Advanced Power MOSFET The IRFS830A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFS830A  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFS830A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DSS rating.  
- **Low Gate Charge:** Optimized for fast switching.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better noise immunity.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the IRFS830A. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Advanced Power MOSFET The IRFS830A is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Manufacturer:** SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFS830A is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based on standard specifications for the IRFS830A MOSFET from SEC. For precise details, always refer to the official datasheet.