500V N-Channel MOSFET The IRFS840B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 17A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
### **Description:**  
The IRFS840B is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V drain-source voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Helps reduce switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  
For exact details, refer to the official datasheet from Fairchild (ON Semiconductor).