600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS9N60A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 9A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.0Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFS9N60A is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It utilizes IR’s proprietary HEXFET® technology, providing low on-state resistance and high switching efficiency.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** for reliable operation in high-speed switching circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.