500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL11N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFSL11N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for inductive loads.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.